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【資料圖】

位于首爾的數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室將于今年年底前竣工開(kāi)業(yè)，主要負(fù)責(zé)為數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)DDR5DRAM內(nèi)存技術(shù)。英特爾在Vision2023活動(dòng)中，還表示在美國(guó)、中國(guó)、印度和墨西哥等地再設(shè)立6個(gè)科研機(jī)構(gòu)，主要負(fù)責(zé)研究和認(rèn)證服務(wù)器半導(dǎo)體芯片。英特爾還擴(kuò)大和三星、SK海力士的合作，測(cè)試和評(píng)估DDR5和ComputeExpressLink等下一代內(nèi)存產(chǎn)品的性能。亞匯網(wǎng)此前報(bào)道，SK海力士最近宣布其第5代10nm工藝1bnm已完成驗(yàn)證，滿足下一代DDR5和HBM3E的解決需求。該公司表示，XeonScalable獲得了英特爾認(rèn)證，以支持基于10億納米節(jié)點(diǎn)構(gòu)建的DDR5產(chǎn)品。三星還開(kāi)始量產(chǎn)采用12nm工藝節(jié)點(diǎn)的16BDDR5DRAM。